單晶爐在使(shi)用前一定要(yao)認真的閱讀(dú)操作規程，以(yǐ)免發生意外(wài)和導緻設備(bei)的損壞。
1、清爐(lú)、裝爐：清洗整(zhěng)個爐室内壁(bi)及加熱線圈(quān)、反射器、晶體(ti)夾持器、上軸(zhóu)、下軸，調整加(jiā)熱線圈和反(fǎn)射器的水平(píng)及與上軸、下(xià)軸的對中；将(jiāng)多晶料夾具(ju)固定到多晶(jing)料尾部的刻(kè)槽處，然後将(jiang)其安裝到上(shàng)軸末端，進行(hang)多晶料的對(dui)中；将籽晶裝(zhuāng)入籽晶夾頭(tou)上，然後将其(qí)安裝到下軸(zhou)頂端；關閉各(ge)個爐門，擰緊(jǐn)各緊固螺栓(shuan)；
2、抽空、充氣，預(yù)熱：打開真空(kōng)泵及抽氣管(guan)道閥門，對爐(lú)室進行抽真(zhen)空，真空度達(da)到所要求值(zhí)時，關閉抽氣(qi)管道閥門及(ji)真空泵，向爐(lu)膛内快速充(chōng)入氩氣；當充(chong)氣壓力達到(dao)相對壓力 1bar-6bar時(shi)，停止快速充(chōng)氣，改用慢速(sù)充氣，同時打(da)開排氣閥門(mén)進行流氩；充(chong)氣完畢後，對(dui)多晶矽棒料(liao)進行預熱，預(yu)熱使用石墨(mo)預熱環，使用(yòng)電流檔，預熱(re)設定點25-40％，預熱(rè)時間爲12-07分鍾(zhōng)；
4、生長細頸(jing)：引晶結束後(hou)，進行細頸的(de)生長，細頸的(de)直徑在2-6mm，長度(du)在30-60mm；
5、擴肩及氮(dàn)氣的充入：細(xì)頸生長結束(shu)後，進行擴肩(jiān)，緩慢減少下(xia)速至3±2mm/min，同時随(sui)着擴肩直徑(jìng)的增大不斷(duàn)減少下轉至(zhi)8±4rpm，另外還要緩(huǎn)慢減小上轉(zhuǎn)至1±0.5rpm；爲了防止(zhi)高壓電離，在(zai)氩氣保護氣(qì)氛中充入一(yi)定比例的氮(dàn)氣，氮氣的摻(chān)入比例相對(dui)于氩氣的 0.01％-5％；
6、轉(zhuǎn)肩、保持及夾(jia)持器釋放：在(zài)擴肩直徑與(yu)單晶保持直(zhi)徑相差3-20mm時，擴(kuò)肩的速度要(yao)放慢一些，進(jìn)行轉肩，直至(zhi)達到所需直(zhí)徑，單晶保持(chí)，等徑保持直(zhí)徑在75mm-220mm，單晶生(shēng)長速度1mm/分-5mm/分(fèn)，在擴肩過程(chéng)中，當單晶的(de)肩部單晶持(chí)器的銷子的(de)距離小于2mm時(shi)釋放夾持器(qi)，将單晶夾住(zhù)；
7、收尾、停爐：當(dang)單晶拉至尾(wěi)部，開始進行(háng)收尾，收尾到(dao)單晶的直徑(jìng)達到Φ10-80mm，将熔區(qū)拉開，這時使(shǐ)下軸繼續向(xiang)下運動，上軸(zhóu)改向上運動(dong)，同時功率保(bao)持在40±10％，對晶體(ti)進行緩慢降(jiang)溫。
