現有(you)加熱電源(yuan)存在的問(wèn)題:
盡管我(wo)國晶體生(sheng)長設備的(de)自動化程(chéng)度有了很(hen)大提高,但(dan)是在常規(gui)的直拉法(fa)溫度控制(zhì)環節的設(she)計上還存(cún)在以下問(wen)題:
(1)加熱電(diàn)源的智能(neng)化程度不(bú)高。純模拟(ni)電路構成(cheng),單閉環控(kòng)制,自動化(huà)程度偏低(di),功率的調(diao)節常滞後(hou)于系統對(dui)溫度的實(shi)際要求。
單(dān)晶爐改進(jin)方案:
裝置(zhì)采用模塊(kuai)化設計,微(wēi)機控制,内(nei)置自适應(ying)能力較強(qiáng)的模糊PID控(kong)制算法,具(ju)有控制參(cān)數自動調(diao)節、顯示,可(ke)通過按鍵(jiàn)設定初值(zhí),系統異常(chang)可自動聲(shēng)光告警等(děng)新功能,即(ji)從整體上(shang)提高溫控(kòng)系統的智(zhì)能化程度(du)和控制精(jīng)度,加快參(cān)數調節的(de)響應速度(dù),使整個生(sheng)産過程中(zhong)爐溫的變(biàn)化能快速(su)平滑地跟(gēn)随工藝曲(qu)線變化,裝(zhuang)置通用性(xing)強,操作上(shang)更加簡單(dan)、可靠。
單晶(jing)爐 主要技(jì)術指标:
單(dān)晶爐加熱(re)電源是一(yī)種大功率(lǜ)直流電源(yuan),要求輸出(chu)功率lOOkW,輸出(chū)電壓爲0-5V可(kě)調,輸出電(diàn)流爲0-3000A;其輸(shū)出的能量(liàng)可直接爲(wèi)單晶爐内(nèi)的石墨加(jiā)熱器供熱(rè),加熱溫度(du)範圍爲o~2000℃,控(kòng)溫精度要(yao)求達到±5℃;各(gè)種信号可(kě)自動檢測(ce)、顯示,參數(shu)的修改和(he)設定可通(tōng)過按鍵進(jin)行,以此來(lai)滿足單晶(jing)矽在生長(zhǎng)階段對溫(wēn)度的嚴格(gé)要求。