你(nǐ)了解單晶(jing)爐嗎？單晶(jing)爐在制作(zuò)工藝上的(de)拉制方法(fǎ)具體該怎(zěn)麽做呢？

第(dì)一種：區熔(róng)法

區熔法(fa)的操作工(gong)藝就是爲(wei)了避免熔(róng)體與坩埚(guo)間的化學(xué)反應造成(cheng)的污染，而(ér)發展起來(lái)的無增埚(guo)晶體生長(zhang)工藝。

這種(zhǒng)方法隻适(shì)用于熔體(ti)表面張力(lì)系數大的(de)晶體生長(zhǎng)。垂直安裝(zhuang)一根多晶(jing)體棒，用水(shui)冷射頻感(gan)，使應加熱(rè)使棒的一(yi)端熔化。依(yi)靠熔體的(de)表面張力(lì)和電場産(chan)生的懸浮(fu)力，使熔體(ti)與晶棒粘(zhān)附在一起(qi)。把一根經(jīng)過定向處(chu)理的籽晶(jing)端部侵入(rù)熔體，利用(yòng)加熱器與(yu)晶體熔體(ti)的相對運(yùn)動使多晶(jing)棒不斷地(di)熔化，而另(lìng)一側逐漸(jian)生成晶體(tǐ)。這種方法(fǎ)會讓生長(zhang)的晶體不(bú)會受坩埚(guō)的污染。

第(di)二種：直拉(la)法

直拉法(fa)又稱“恰克(kè)拉斯基法(fǎ)”（Czochralski）法，簡稱CZ法(fa)。是生長單(dān)晶矽的主(zhǔ)要方法。該(gāi)法是在直(zhí)拉法(CZ)單晶(jīng)爐内，将原(yuán)料（多晶矽(xi)）裝在一個(ge)坩埚中使(shi)其加熱至(zhi)熔融狀，向(xiang)熔矽中引(yin)入籽晶，籽(zǐ)晶夾在提(tí)拉杆的下(xia)端，控制溫(wēn)度合适。當(dāng)籽晶和熔(rong)矽達到平(píng)衡時，熔液(yè)會靠着表(biao)面張力的(de)支撐吸附(fu)在籽晶的(de)下方。此時(shi)邊旋轉邊(biān)提拉籽晶(jing)，這些被吸(xi)附的熔體(tǐ)也會随着(zhe)籽晶往上(shang)運動。向上(shàng)運動的過(guo)程中熔體(ti)溫度下降(jiàng)，将使得熔(rong)體凝結成(chéng)晶且随着(zhe)籽晶方向(xiàng)生長成單(dān)晶棒。

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